enmos是什么？

一种用于电场测试的N型差分电场微传感器，其特征在于由N沟道电场传感器(ENMOS1)、N沟道耗尽型金属氧化物半导体晶体管(ENMOS’2)、P型金属氧化物半导体晶体管电流镜和N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS5)组成。P型金属氧化物半导体晶体管电流镜由两个P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS3和PMOS4)组成，其源极连接到电源(Vdd)，其栅极互连并与其中一个P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS3)的漏极连接，P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS3)的漏极与N沟道电场传感器(ENMOS1)的漏极连接。另一个P型MOS晶体管(PMOS4)的漏极与N沟道耗尽型MOS晶体管(ENMOS'2)的漏极相连，该节点用作输出端(Vout)。N沟道电场传感器(ENMOS1)的源极与N沟道耗尽型MOS晶体管(ENMOS'2)的源极相连，并与N型MOS晶体管(NMOS5)的漏极相连。N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS5)的源极接地(Vss)，N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS5)的栅极与偏置电压(Vb)连接。

该产品于2005年获得专利。

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