王太洪的学术成就
2)用切边的立方体铂纳米颗粒作为直接甲醇燃料电池的阳极催化剂，刘永国，施绍林，薛晓燕，张金友，王永国，王东辉，应用物理。92, 203105 (2008)
3)简并掺杂在ZnO纳米带中诱导的金属行为，，，，卢泰宏，王太红，应用物理。93, 103109 (2008)
4)用于乙醇传感器应用的金属纳米线主链上的分支二氧化锡纳米线，万青、黄金、钟燮、王泰红、埃里克·n·达托利和芦伟，应用物理大学。92, 102101 (2008)
5)铁磁性纳米颗粒的固有过氧化物酶样活性，高立增，，冷聂，，，王泰红，荆峰，杨东玲，SARAH PERRETT1和，自然纳米技术，2，577(2007)
6)具有高纵横比的单晶Cu2O纳米线的可控制造和电性能，谭以伟，，薛，，，王太红和，纳米通讯7，3723(2007)
7)在单壁碳纳米管中具有相互作用效应的散粒噪声，F. Wu，P. Queipo，A. Nasibulin，T. Tsuneta，T. H. Wang，E. Kauppinen和P. J. Hakonen，Phys. Rev. Lett.99，156803(2007)
8)简并掺杂在ZnO纳米带中诱导的金属行为，，，，卢泰宏和王太红，应用物理通讯93，03109，2008
9)氧化铈纳米线在空气中的反常光电导。王，应用物理。91, 073104 (2007)
10)在室温下生长的ZnO纳米棒的表面耗尽控制的气体传感，应用物理。91, 032101 (2007)
11)由晶界势垒调制引起的单个ZnSnO3纳米线的极高氧感测，薛晓燕，冯平，王耀国，和王廷辉，应用物理。91, 022111 (2007)
12)ZnS纳米带的室温氧敏感性，刘永国，冯平，薛晓燕，史绍林，付晓清，王春林，王永国，王东辉，应用物理。90, 042109(2007).
13)基于{100}结合的In2O3纳米晶体的高灵敏度乙醇传感器。冯，薛晓燕，刘玉刚，王东辉，应用物理。89, 243514 (2006)
14)垂直排列的掺锡氧化铟纳米线阵列:外延生长和电子场发射特性。89, 123102,2006
15)通过紫外线照射在单个Ga2O3纳米线中实现快速氧响应。王，应用物理。89, 112114,2006
16)alz no纳米线阵列的极稳定场发射。89, 043118,2006
17)通过具有横向晶粒边界的单个纳米线的电输运，应用物理。89, 022115,2006
18)对“透明金属:掺杂铌的锐钛矿型二氧化钛”的评论。88, 226102,2006
19)铟掺杂氧化锡纳米线的合成及乙醇传感性能，薛晓燕，陈耀军，刘耀国，施绍林，王耀国，王东辉，应用物理。88, 201907,2006
20)从铟膜原位合成不同直径的In2O3纳米线，梁耀祥，李绍清，聂立平，王耀国，王东辉，应用物理。88, 193119,2006
21)通过单个ZnSnO3纳米线的电子传输特性，X. Y. Xue，Y. J. Chen，Q. H. Li，C. Wang，Y. G. Wang和T. H. Wang，应用物理。88, 182102,2006
22)从玻璃上的金/铟膜生长的In2O3纳米线，李绍清，梁耀祥，王春春，付晓清和王东辉，应用物理。88, 163111,2006
23)作为日盲光电探测器的单个Ga2O3纳米线，P. Feng，J. Y. Zhang，Q. H. Li和T. H. Wang，应用物理。88, 153107,2006
24)具有极高灵敏度的二氧化锡纳米棒的线性乙醇感测，陈玉军，聂立军，薛晓燕，王玉国，和王东辉，应用物理。88, 083105,2006
25)生长在InAs衬底上的In2O3纳米线的场发射的Fowler-nord heim图的非线性特性，李绍清，梁耀祥，和T. H. Wang，应用物理。88,053107, 2006
26)单晶二氧化锡纳米棒的合成和乙醇传感特性，陈耀杰、薛晓燕、王耀国和王东辉，应用物理。87,233503, 2005
27)花状ZnO纳米结构的接触控制传感特性，冯平，万庆林和王东辉，应用物理。87,213111, 2005
28)in2o 3纳米线的电场取向垂直生长和场发射特性，李绍清、梁耀祥和王廷辉，应用物理。87,143104, 2005
29)ZnO纳米四脚的增强的光催化活性，Q. Wan，T. H. Wang，和J. C. Zhao，应用物理。87,083105, 2005
30)ZnO纳米线的异常电流变行为，冯平，万青，付晓青，王东辉，应用物理。87,033114, 2005
31)单根掺镉ZnO纳米线电导的异常温度依赖性，李庆红，万庆红，王耀国，王廷辉，应用物理。86,263101, 2005
32)ZnS no 3纳米线的合成和乙醇传感特性，薛晓燕，陈耀军，王耀国，王东辉，应用物理。86,233101, 2005
33)单个CdS纳米带的光电特性，李庆海，高，王廷辉，应用物理。86,193109, 2005
34)作为光电导体的CdS纳米带，T. Gao，Q. H. Li和T. H. Wang，应用物理。86,173105, 2005
35)在强电场下纳米线在碳纳米管尖端上的原位生长，王永国、李庆海、王东辉、林新伟、德拉维德和周新祥，应用物理。86,133103, 2005
36)通过瞬态光电流测量从ZnO纳米线薄膜探测的氧的吸附和解吸，qi-h Li，T. Gao，和T. H. Wang，应用物理。86,123117, 2005
37)单个ZnO纳米线晶体管的氧传感特性，李庆红、梁耀祥、万庆红和王东辉，应用物理学会。85(26),6389-6391, (2004).
38)长SnO(2)纳米线阵列的场发射，陈永杰，李庆宏，梁永祥，王东辉，赵庆平和俞德平应用物理学。85,5682-5684, (2004).
39)单晶掺锡氧化铟晶须:合成与表征，万，宋志泰，冯绍林，王廷辉，应用物理。85(20) 4759-4761, (2004).
40)s NO2纳米带/CdS纳米颗粒核/壳异质结构的声化学合成，高涛和王太红化学。Commun。2004,2558-2559,
41)亚稳态二氧化钒纳米带:水热合成、电输运和磁学性质，，李，，王太红，俞大鹏，，张晓东。化学。里面的由…编辑43, 5048 – 5052, (2004).
42)通过在金/铂电极上原位生长二氧化锡纳米带制造的薄膜晶体管，李庆海、陈耀杰、万庆辉和王廷辉，应用物理。85, (10), 1805-1807, (2004).
43)由涂有薄氧化锡层的多壁碳纳米管实现的低电阻气体传感器，Y. X. Liang，Y. J. Chen和T. H. Wang，应用物理。85, (4), 666-668(2004).
44)四脚状ZnO纳米结构的稳定场发射，李庆海，万庆军，陈耀军，王东辉，贾海波，俞东平，应用物理。85, (4), 636-638(2004).
45)单晶CdS纳米带的催化剂辅助气-液-固生长及其发光性质，和王太红，物理化学杂志。B 108，20045-20049(2004年)
46)通过单根ZnO纳米线的电子传输，李庆海、万庆林、梁耀祥和王廷辉，应用物理。84, (22), 4556-4558 (2004).
47)ZnO纳米线气体传感器的制备和乙醇传感特性，Q. Wan Y. J. Chen，S. D. Luo，和T. H. Wang，X. L. He，和J. P. Li，C. L. Lin，应用物理学。84, (18), 3654-3656 (2004)
48)大偏压下多壁碳纳米管中的电流饱和，应用物理。应用物理列特。84, (17), 3379-3381 (2004)
49)ZnO纳米线-聚酯复合材料的微波吸收性能陈明生，曹东辉，王东辉，万青，应用物理。84, (17), 3367-33369 (2004)
50)Cd掺杂的ZnO纳米线的正温度系数电阻和湿敏特性，万庆红，李庆海，陈耀军，王东辉，何喜林，高兴国，和李建平，应用物理。84, (16), 3085-3087 (2004)
51)ZnO纳米线的室温储氢特性，万，林春林，于新波，刘伟林，应用物理。84, (1), 124-126 (2004)
52)通过快速蒸发合成的四脚状ZnO纳米结构的低场电子发射，万，于，王东辉，林，应用物理，。83, (11), 2253-2255 (2003)
53)具有堆叠的InAs量子点的场效应晶体管的特性，王廷辉，李洪伟，和周俊明，应用物理。82, (18), 3092-3094, (2003)
54)半导体β-fesi 2纳米晶体的合成和光学性质，万青，王廷辉，林春林，应用物理。82,(19) 3224-3226, 2003
55)嵌入在Al2O3栅极电介质中的Ge纳米团簇的结构和电学特性，Wan，C. L. Lin，W. L. Liu，和T. H. Wang，应用物理。82,(26) 4708-4710, 2003
56)嵌入在ZrO2 /Al2O3栅极电介质中的Ge纳米晶体的记忆和负光电导效应，万庆林，张乃林，刘伟林，林春林和王东辉，应用物理。83,(1) 138-140,2003
57)用电子束共蒸发法合成的镶嵌在Al2O3基体中的非晶态Ge纳米团簇的线性和三阶非线性光学吸收，万，林春林，张乃林，刘文林，杨国良和王东辉，应用物理，第82卷，19，(2003) 3162-3164
58)用于电子场发射的大面积锗锥形阵列的合成，万，王廷辉，冯廷辉，刘新海，林春林，应用物理。81,(17), 3281-3283, (2002).
59)通过真空电子束共蒸发合成的嵌入在Al2O3基质中的Si纳米晶体的共振隧穿，万，王东辉，朱，林春林，应用物理。81,(3), 538-540, (2002).
60)具有点接触通道的单电子电晶体，王廷辉，李洪伟，周建民，奈米科技2002，13，221。
61)设计用于单电子晶体管应用的GaAs/InGaAs/AlGaAs、d掺杂AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaAs/GaAs异质结构中的二维电子气体。傅天海，王天海和m .威兰德，应用物理学杂志，89(3)，1759-1763，(2001)。
62)通过蚀刻的沟槽和多个栅极形成量子点和控制量子点的电荷，傅耀明，M.Willander，王东辉，应用物理杂志，74(2002) 741-745
63)高真空电子束共蒸发Al2O3基体中硅纳米晶，万庆林，张南林，谢新友，王东辉，林春林，应用表面。Sci。191(2002)171-175
64)InAs自组装量子点中的充电效应，王廷辉，李洪伟，周俊明，应用物理。79, (10), 1537-1539, (2001)
65)通过透射电子显微镜对垂直InGaAs量子点阵列的失配和化学成分分析。张，朱军，任晓伟，李海伟，王东辉，应用物理。78(24), 3830, (2001)
66)蚀刻沟槽以有效地产生用于单电子晶体管应用的量子线。78(23), 3705, (2001).
67)具有面内点接触金属栅极的Si单电子晶体管。王东辉，李海伟，周俊明，应用物理学会。78(15),2160, (2001).
68)平行点结构中的单电子充电，应用物理。78(5) 634(2001).
69)碳纳米管与钛酸钡复合薄膜的大光学三阶非线性，吕国伟，程柏林，沈红，，陈，王泰红，，，金奎娟，，，化学物理通讯，407(2005)397-401
70)以氧化锌纳米线为模板大规模控制合成二氧化硅纳米管陈，薛新宇，王泰红，纳米技术16(2005)1978-1982
71)单晶掺锑二氧化锡纳米线:合成及气敏传感器应用，万，王化学。Commun。2005, 3841-3843
72)ZnO纳米棒-纳米带结阵列的气相生长，和王太红，纳米科学杂志。纳米技术。2005,5(7)1120-1124
73)无衬底生长，ZnO纳米棒失堆积阵列的表征及生长机理，赵阳，，俞红春，邹斌所，王彦国，王东辉，纳米技术19 (2008) 035704
74)低温下生长在ZnO薄膜上的ZnO纳米棒阵列的低阈值场发射，李立民，杜振峰，李春春，张军，王东辉，纳米技术18 (2007) 355606
75)单根znga 2 o 4纳米线的光电流特性，冯平，张继勇，万庆和王东辉，应用物理学报102，074309，2007年专利号。
专利类型申请日授权日专利名称发明人证书发明专利
2004-12-24
2007-10-3碳纳米管的生物应用严、高立增、王太红和聂冷1发明专利。
03136606.6 2003-5-19
2006年8月23日，一种纳米多孔氧化铝模板的生产工艺被傅、江南和王太洪申请了专利。
03131082.6 2003-5-14
2006-4-12一种改善纳米材料电学性能的方法李和王太红获得专利1。
03136105.6 2003-5-14
2006-8-9一种高性能纳米晶体管的制备方法李和王太洪获得专利1。
02149405.3 2003-2-14
2006-9-13基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器及其制备方法孙金鹏、王太洪获得专利1。
02149483.5 2002-11-21具有多个稳定存储状态的单电子存储器及其制造方法孙金鹏和王太洪1发明专利。
02131272.9 2002-9-24
2006-1-11用垂直碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及其制造方法孙金鹏和王太洪1发明专利。
02131274.5 2002-9-24
2006年6月28日由两端具有垂直结构的碳纳米管晶体管制成的单电子存储器及其制造方法孙金鹏和王太洪获得1发明专利。
02125967.4 2002-8-7
2005-11-23根据库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法孙金鹏和王太洪1发明专利。
02125880.5 2002-8-1基于碳纳米管单电子晶体管的单电子存储器及其制造方法孙金鹏和王太红1 02123969 . x 2002-7-11。
2006-6-28室温工作的单电子存储器及其制备方法孙金鹏和王太洪1发明专利。
02123970.3 2002-7-11
2006年04月26日高集成度的单电子存储器及其制备方法孙金鹏、王太洪1发明专利。
02123661.5 2002-7-8
2006-3-29碳纳米管半加法器及其制备工艺赵继刚、王太红1发明专利。
02123860.X 2002年7月5日
2006-1-11碳纳米管集成场效应管及其制备工艺赵继刚、王太红1发明专利。
02123862.6 2002-7-5
2006-3-29碳纳米管逻辑或门器件及其制备方法赵继刚、王太红1发明专利。
02123863.4 2002-7-5
2006-1-11赵继刚、王太红的碳纳米管逻辑非门器件发明专利。
02123864.2 2002-7-5
2006-4-19碳纳米管制成的随机存取存储器及其制备方法赵继刚、王太红获得1发明专利。
02123865.0 2002-7-5
2006年6月28日具有单壁碳纳米管结构的与门逻辑器件及其制造方法赵继刚和王太红1发明专利。
02123861.8 2002-7-5
2006-1-11碳纳米管“或”逻辑器件赵继刚和王太红1发明专利。
02123459.0 2002-6-28
2005-7-6复合量子点器件及其制备方法朱筠和王太洪1发明专利。
02123464.7 2002-6-28
2005年7月6日，朱筠和王太洪发明了量子点器件的三端电学测量法。
02120849.2 2002-6-5
2006-08-16用碳纳米管设计的非易失性随机存取存储器及其制备方法孙金鹏和王太红获得专利1。
02120847.6 2002-6-5
2006-4-19具有碳纳米管结构的单电子存储器及其制备方法孙金鹏和王太洪1发明专利。
02120848.4 2002-6-5
2006年6月28日用碳纳米管制成的单电子存储器及其制备方法孙金鹏和王太洪获得1发明专利。
02120850.6 2002-6-5
2006年6月28日用碳纳米管制成的单电子存储器及其制备方法孙金鹏和王太洪获得1发明专利。
01101944.1 2001-1-18
2004-10-6对电荷超敏感的库仑仪及其制备方法王太红1发明专利。
01101945.X 2001-1-18
2004-10-6一种具有自校准功能的超灵敏库仑计及其制备方法王太红1发明专利。
01100835.0 2001-1-15
2004-8-4点接触平面栅单电子晶体管及其制备方法(一)王太洪1发明专利。
01100834.2 2001-1-15
2004-8-4点接触平面栅单电子晶体管及其制备方法(二)王太洪发明专利1。
00133517.0 2000-11-9
2004-7-28一种单电子晶体管及其制备方法王太洪1发明专利。
实用新型
专利号
专利类型申请日授权日专利名称发明人证书实用新型
01200510.X2001-1-15
单电子晶体管
02285490.82003-2-14
2004年3月-10单电子三值存储器孙金鹏和王太洪1实用新型
02289264.82002-11-22
2003-08-13采用多隧道结结构单电子晶体管的多值单电子存储器孙金鹏、王太红1实用新型。
02257077.22002-9-24
2003年9月3日，孙金鹏和用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器王泰宏1为实用新型。
02257080.22002-9-24
2003年9月24日孙金鹏、王太红利用两端垂直结构的碳纳米管晶体管设计的1单电子存储器实用新型。
02244310.X2002-8-7
2003年08月20日孙金鹏和王太红用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的1实用存储器。
02244235.92002-8-1
2003年08月20日孙金鹏、王太红1基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器实用新型。
02240127.X2002-7-11
2003年7月23日孙金鹏、王太红1实用新型单电子存储器室温工作
02240125.32002-7-11
2003-8-13一种实用新型的平面磁控溅射靶。
02240126.12002-7-11
2003-8-13孙金鹏、王太红1高集成度可室温工作的实用新型。
02239614.42002-7-5
碳纳米管或门逻辑器件赵继刚王太红1实用新型
02239615.22002-7-5
2003-6-18碳纳米管集成场效应晶体管赵继刚王太红1实用新型
02239613.62002-7-5
2003-8-13赵继刚、王太红具有碳纳米管结构1实用新型
02239612.82002-7-5
单壁碳纳米管与门逻辑器件
02238032.92002-6-28
2003-4-23朱筠、王太红，复合结构量子点器件，1实用新型。
02237210.52002-6-5
2003年04月23日和王太红1碳纳米管结构的非易失性随机存储器。
02237211.32002-6-5
2003-05-21具有碳纳米管结构的单电子存储器孙金鹏和王太红1实用新型。
01201857.02001-1-18
2001-11-28超灵敏库仑计王太红1实用新型
01201858.92001-1-18
2001-11-28具有自校准功能的高灵敏库仑计王太红1实用新型
01200511.82001-1-15
2002-6-19王太洪，一种点接触平面栅单电子晶体管，1实用新型。
已申请专利59项(已授权50项)，在应用物理研究最权威的期刊《应用物理快报》发表高水平论文80余篇。大部分实验结果已被国外实验室重复验证，文章单次引用率达到每年50次。超灵敏检测方面的文章被26种专著引用，SCI引用超过3000次。