duv和euv的区别

1，不同的处理范围

Duv:基本上只能做到25nm。英特尔凭借双级模式已经做到了10nm，但10nm以下是达不到的。Euv:可满足10nm以下晶圆制造要求，可扩展至5nm、3nm。

2.不同的发光原理

Duv:光源为准分子激光，光源波长可达193 nm。Euv:激光激发等离子体发射EUV光子，光源波长为13.5 nm。

3、光路系统不同

Duv:主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影镜头和晶圆之间填充去离子水，使193nm的光波相当于134nm。

掩模对准器简介

光刻机又称掩模对准曝光机、曝光系统和光刻系统，是制造芯片的核心设备。它使用类似于照片印刷的技术，通过曝光将掩模上的精细图案印刷到硅片上。

高精度对准系统的制造需要近乎完美的精密机械技术，这也是国产光刻机无法企及的技术难点之一。很多美国德国品牌的光刻机都有专门的专利机械技术设计。比如mycon &；q光刻机采用全气动轴承设计专利技术，有效避免轴承机械摩擦带来的工艺误差。