sic的掺杂？p型，n型

本发明公开了一种使用基本上没有深能级掺杂剂的半绝缘SiC衬底的SiC MESFET。使用半绝缘衬底可以减小MESFETs中的背栅效应。还提供了具有带两个沟槽的栅极结构的SiC MESFETs。还提供了具有选择性掺杂的P型缓冲层的MESFETs。该缓冲层的利用可以减少到具有传统P型缓冲层的SiC MESFETs的输出电导的三分之一，并产生3db的功率增益。还可以向P型缓冲层提供接地接触，该缓冲层可以由两种类型的P型层形成，这两种类型的P型层具有形成在衬底上的具有较高掺杂浓度的层。根据本发明实施例的SiC MESFETs也可以使用铬作为肖特基栅极材料。此外，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)钝化层可用于降低SiCMESFETs中的表面效应。类似地，源极和漏极欧姆接触可以直接形成在N型沟道层上，因此不需要制造n+区，并且与该制造相关的步骤可以从制造工艺中去除。本发明还公开了制造SiC mesfet的方法、用于SiC mesfet的栅极结构和钝化层。

专利主权条款

索赔1。一种金属半导体场效应晶体管，包括:基本上没有深能级掺杂剂的半绝缘碳化硅衬底；衬底上的N型导电碳化硅的N型外延层；N型外延层上的欧姆接触，其分别限定源区和漏区；以及在N型外延层上的肖特基金属接触，该肖特基金属接触位于欧姆接触之间，并因此位于源区和漏区之间，以便当向肖特基金属接触施加偏压时，在N型外延层中的源区和漏区之间形成有源沟道。